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    平板探測(cè)器成像質(zhì)量的性能指標(biāo)主要有兩個(gè)：量子勘探功率和空間分辯率，其是數(shù)字化X光機(jī)成像好壞決定性因素之一。 DQE決定了平板探測(cè)器對(duì)不一樣安排密度區(qū)別的分辯才能；而醫(yī)療器械空間分辯率決議了對(duì)安排細(xì)微布局的分辯能力。那么如何判斷數(shù)字化X光機(jī)平板探測(cè)器質(zhì)量性能？

    （1）影響平板探測(cè)器DQE的要素
    直接變換平板探測(cè)器中，X線變換成電信號(hào)決議于非晶硒層發(fā)生的電子-空穴對(duì)， DQE的凹凸取決于非晶硒層發(fā)生電荷的才能。總的來(lái)說(shuō)，碘化銫 ( CsI ) + a-Si(非晶 硅)+ TFT布局的直接變換平板探測(cè)器的極限D(zhuǎn)QE高于a-Se (非晶硒) 直接變換平板探測(cè) 器的極限D(zhuǎn)QE。

（普朗品牌產(chǎn)品--移動(dòng)數(shù)字化X光機(jī)PLX5200）

    （2）影響平板探測(cè)器空間分辯率的要素
    在直接變換平板勘探器中，空間分辯率決議于單位面積內(nèi)薄膜晶體管矩陣巨細(xì)。 矩陣越大薄膜晶體管個(gè)數(shù)越多，空間分辯率越高，能夠到達(dá)很高的空間分辯率。

    （3）量子探測(cè)功率于空間分辯率的聯(lián)系
    關(guān)于同一種平板探測(cè)器，在不一樣的空間分辯率時(shí)，其DQE是改變的；極限的DQE高 ，不等于在任何空間分辯率時(shí)DQE都高。DQE的計(jì)算公式如下：
    DQE=S2×MFT2/NSP×X×C
    S：信號(hào)均勻強(qiáng)度；MFT：調(diào)制傳遞函數(shù)；X：X線曝光強(qiáng)度；NPS：體系噪聲功率譜 ；C：X線量子系數(shù)

    從計(jì)算公式中能夠曉得，不一樣的MFT值中對(duì)應(yīng)不一樣的DQE，這說(shuō)明在不一樣的空間分辨率時(shí)有不一樣的DQE。

    直接變換平板探測(cè)器的極限D(zhuǎn)QE比較高，可是跟著空間分辯率的進(jìn)步，其DQE降低得較多；而直接變換平板探測(cè)器的極限D(zhuǎn)QE不如直接變換平板探測(cè)器的極限D(zhuǎn)QE高，但在高空間分辯率時(shí)，直接變換平板探測(cè)器的DQE高。