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DR探測(cè)器的分類有哪些？
DR探測(cè)器的分類有哪些？
加入時(shí)間：2020-06-01 10:27:35 當(dāng)前新聞點(diǎn)擊率：1995
DR技術(shù)的進(jìn)步一直都是與平板探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展緊密相連的。平板探測(cè)器是DR的核心部件之一，它可以X線能量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，對(duì)成像質(zhì)量起著決定性的作用。
平板技術(shù)發(fā)展主要體現(xiàn)在：動(dòng)態(tài)反應(yīng)時(shí)間和尺寸的大小、像素間距、MTF、DQE等方面。根據(jù)探測(cè)器的工作原理和組成材料的不同，DR探測(cè)器的分類主要有三種：CCD、一線掃描和非晶體平板。 
CCD： 因?yàn)榇嬖谥欢ǖ奈锢砭窒扌?，普遍認(rèn)為CCD并不能夠勝任大面積平板的采像工作，而且CCD設(shè)備在所采集的圖像的質(zhì)量上與非晶硅/硒平板設(shè)備差上一段距離。不過(guò)因?yàn)镃CD的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，在世界范圍內(nèi)仍然有廠家在使用著這種技術(shù)。 一線掃描： 一線掃描也被稱作一維線掃描技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)是由俄羅斯科學(xué)院核物理研究所發(fā)明出來(lái)的，目前我國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)該DR探測(cè)器的非常少。這項(xiàng)產(chǎn)品雖然設(shè)備造價(jià)和受照劑量方面都比平板技術(shù)要低很多，但是這項(xiàng)技術(shù)有著一些先天性的不足：X射線使用效率低、空間分辨率低、成像時(shí)間長(zhǎng)、成像質(zhì)量差以及醫(yī)生和病體會(huì)收到大量輻射。 非晶平板： 非晶平板由不同的材料也可以分為兩種類別：a-Se非晶硒層和a-Si非晶硅層 a-Se(非晶硒平板探測(cè)器)：這是一種直接探測(cè)的技術(shù)，在硒涂料層直接探測(cè)到X光子然后將其電信號(hào)轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號(hào)。目前這種技術(shù)應(yīng)用范圍較少，屬于非主流X光平板探測(cè)器。 a-Si(非晶硅平板探測(cè)器)：這是一種兩步數(shù)字轉(zhuǎn)換的技術(shù)，X光子先變成可見(jiàn)光，然后利用光電探測(cè)技術(shù)探測(cè)到，再將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)。因涂層的技術(shù)不同，又可以分為非晶硅+氧化釓平板探測(cè)器和非晶硅+碘化銫平板探測(cè)器。目前這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于世界各大知名廠商中，應(yīng)用范圍非常廣。 以上就是DR探測(cè)器的分類。CCD由于物理方面的限制，生產(chǎn)工藝和門檻也比較低，已經(jīng)開(kāi)始逐漸被淘汰了；一線掃描也由于自身的缺憾很難作為主流產(chǎn)品；非晶體平板具有的優(yōu)勢(shì)都不是前兩者可以比的，所以目前較為成熟的DR探測(cè)器就是X光平板探測(cè)器。 |
